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碳化硅性能总结碳化硅是Si和C二元系统中唯一的二元化合物。其原子比是1:1。 1 稳定性较好。 在HCl、H2SO4和HF中煮沸也不受侵蚀。SiC同硅酸在高温下也不发生反应，故具有抵抗酸性熔渣的良好性能。SiC同石灰在525度开始反应，在1000度附近反应显著，与氧化铜的反应在800度已强烈进行。。同氧化铁在1000-1200度，进行反应，到1300度已明显崩裂反应。同氧化锰反应从1360度起到崩裂反应。SiC在氯气中，从600度开始与之反应，到1200度可使其分解为SiCl4和CCl4。熔融碱在炽热下可使SiC分解。 2 抗氧化性较好 碳化硅在常温下，抗氧化性很好，在合成SiC时残留的Si、C及氧化铁对SiC的氧化程度有影响。在普通氧化气氛下纯SiC可在高达1500度的温度下安全使用，而含有部分杂质的碳化硅，在1220度会发生氧化。 3 抗热震性较好。 由于碳化硅不熔化和分解出蒸气的温度很高，并具有很高的导热性和低的热膨胀性，从而具有好的抗热震性。 上一篇无烟煤的种类有哪些?下一篇含碳球团粘合剂主要成分 |
