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碳化硅性能总结

碳化硅是Si和C二元系统中唯一的二元化合物。其原子比是1:1。

1 稳定性较好。

  在HCl、H2SO4和HF中煮沸也不受侵蚀。SiC同硅酸在高温下也不发生反应,故具有抵抗酸性熔渣的良好性能。SiC同石灰在525度开始反应,在1000度附近反应显著,与氧化铜的反应在800度已强烈进行。。同氧化铁在1000-1200度,进行反应,到1300度已明显崩裂反应。同氧化锰反应从1360度起到崩裂反应。SiC在氯气中,从600度开始与之反应,到1200度可使其分解为SiCl4和CCl4。熔融碱在炽热下可使SiC分解。

2 抗氧化性较好

  碳化硅在常温下,抗氧化性很好,在合成SiC时残留的Si、C及氧化铁对SiC的氧化程度有影响。在普通氧化气氛下纯SiC可在高达1500度的温度下安全使用,而含有部分杂质的碳化硅,在1220度会发生氧化。

3 抗热震性较好。

  由于碳化硅不熔化和分解出蒸气的温度很高,并具有很高的导热性和低的热膨胀性,从而具有好的抗热震性。



开封市洁净煤化工研究所(河南远征冶金科技)

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